Раздел 9 / 10

Страница 1 / 48

Глава 6. Импульсный отжиг полупроводниковых активных сред лазеров при облучении интенсивными потоками электронов с энергией выше порога дефектообразования

/

Режим прокрутки

На первую страницу

На предыдущую главу

На предыдущую страницу

На следующую страницу

На следующую главу

На последнюю страницу

/

Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте просмотр в виде pdf. Вам доступно 9 стр. из этой главы.

На первую страницу

На предыдущую главу

На предыдущую страницу

На следующую страницу

На следующую главу

На последнюю страницу

Скачать приложение

Физические процессы в полупроводниковых импульсных лазерах с накачкой электронными пучками

Оглавление

Предисловие

Введение

Литература

Глава 1. Некоторые вопросы теории генерации когерентного излучения в полупроводниках и пространственное распределение плотности возбуждения. Методики возбуждения

Глава 2. Механизмы излучательной рекомбинации и лазерной генерации в активных средах на основе соединений AIIIBV и AIIBVI

Глава 3. Катодолюминесценция и лазерный эффект в изопериодических трех- и четырехкомпонентных твердых растворах соединений AIIIBV

Глава 4. Спектрально-временные характеристики спонтанного и лазерного излучения

Глава 5. Процессы воздействия электронного пучка и собственного лазерного излучения на активные среды

Глава 6. Импульсный отжиг полупроводниковых активных сред лазеров при облучении интенсивными потоками электронов с энергией выше порога дефектообразования

Глава 7. Мощные импульсные лазеры и механизмы ограничения их предельных характеристик