Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Для каталогаТаперо, К. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. - 4-е изд. - Москва : Лаборатория знаний, 2021. - 307 с. Систем. требования: Adobe Reader XI ; экран 10". - ISBN 978-5-00101-109-5. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://prior.studentlibrary.ru/book/ISBN9785001011095.html (дата обращения: 06.04.2025). - Режим доступа : по подписке.
АвторыК. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов
ИздательствоЛаборатория знаний
Тип изданиямонография
Год издания2021
ПрототипЭлектронное издание на основе: Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения / К. И. Таперо, В. Н. Улимов, А. М. Членов. - 4-е изд., электрон. - М. : Лаборатория знаний, 2021. - 307 с. - Систем. требования: Adobe Reader XI ; экран 10". - Загл. с титул. экрана. - Текст : электронный. - ISBN 978-5-00101-109-5.
АннотацияВ монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. <br>Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Downloaded 2022-04-11