Раздел 3 / 10

Страница 1 / 14

Глава 2. Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате введения структурных дефектов при радиационном облучении

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Table of contents

Введение

Глава 1. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками

Глава 2. Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате введения структурных дефектов при радиационном облучении

Глава 3. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2

Глава 4. Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур

Глава 5. Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП-и КМОП-структур

Глава 6. Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект ELDRS)

Глава 7. Одиночные события в БИС при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства

Список литературы

Список сокращений