Раздел 5 / 10

Страница 41 / 117

Раздел четвертый. Структурные дефекты d твердых телах, примеси, диффузия, легирование: влияние на свойства

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Учебник для вузов

Table of contents

Предисловие

Введение

Раздел первый. Основные представления о химических связях, строении атомов и свойствах элементарных полупроводников, диэлектриков и металлов +

Раздел второй. Химические связи, структура и свойства двойных и тройных полупроводниковых и диэлектрических соединений +

Раздел четвертый. Структурные дефекты d твердых телах, примеси, диффузия, легирование: влияние на свойства -

Глава 13. Структурные дефекты в реальных моно- н поликрнсталлнчеекпх твердых телах, их типы, источники образования, поведение, влияние на свойства

Глава 14. Особенности поверхностных явлений в полупроводниковых фазах

Глава 15. Примеси в полупроводниках и диэлектриках

Глава 16. Диффузия в материалах твердотельной электроники

Глава 17. ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЯДЕРНЫХ РЕАКЦИЙ И ИОННЫХ ПУЧКОВ

Контрольные вопросы и задачи к четвертому разделу

Раздел пятый. Фазовые и структурные изменения, упругие напряжения при кристаллизации, пластической деформации, получение поликристаллических пленок, эпитаксиальных и аморфных слоев и их композиций +

Раздел третий. Фазовые равновесия в полупроводниковых, диэлектрических и металлических системах +

Приложение. Диаграммы фазовых равновесий

Рекомендательный библиографический список

Предметный указатель