Раздел 7 / 13

Страница 1 / 27

Глава 5. Перенос спин-поляризованных носителей заряда в полупроводниках

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Спинтроника

Table of contents

Об авторах

Введение

Глава 1. Спин электронов, ядер и атомов +

Глава 2. Магнитные и спиновые свойства объемных материалов, тонких пленок и наноразмерных частиц +

Глава 3. Спиновые эффекты в твердотельных структурах +

Глава 4. Инжекция спин-поляризованных носителей заряда в твердотельные структуры +

Глава 5. Перенос спин-поляризованных носителей заряда в полупроводниках -

5.1. Изменение ориентации спина электронов по механизму Эллиотта-Яфета

5.2. Изменение ориентации спина электронов по механизму Дьяконова-Переля

5.3. Изменение ориентации спина электронов по механизму Бира-Аронова-Пикуса

5.4. Изменение ориентации спина электронов в результате их сверхтонкого взаимодействия с ядрами атомов

5.5. Эффективность проявления механизмов релаксации спина электронов в полупроводниках

5.6. Особенности релаксации спина электронов в низкоразмерных структурах

Глава 6. Определение спиновых характеристик свободных носителей заряда в твердотельных структурах +

Глава 7. Элементы обработки информации на спиновых эффектах +

Глава 8. Квантовая обработка информации с использованием спинов ядер атомов и электронов в твердотельных структурах +

Рекомендуемая литература

Обозначения и величины наиболее часто встречающихся фундаментальных констант

Предметный указатель