Раздел 2 / 6

Страница 1 / 30

1. Физико-топологическое моделирование полупроводниковых структур

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Методы математического модел

Table of contents

Введение

1. Физико-топологическое моделирование полупроводниковых структур -

1.1. Базовые уравнения физических процессов в полупроводниковой структуре

1.2. Основные приближения фундаментальной системы уравнений. Границы применимости

1.3. Особенности приближенных структурно-физических моделей

1.4. Граничные условия

1.5. Модели электрофизических параметров

1.6. Основные подходы к численному моделированию

2. Методы дискретизации дифференциальных уравнений +

3. Методики решения фундаментальной системы уравнений +

4. Моделирование полупроводниковых наноструктур +

Библиографический список