Раздел 10 / 15

Страница 1 / 4

Глава 8. Влияние температуры подложки на скорость роста и состав пленки в реактивном процессе

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Получение тонких пленок реактивным магнетронным распылением

Table of contents

Сведения об авторах

Введение. Особенности реактивного магнетронного распыления

Глава 1. Причины нестабильности реактивного распыления +

Глава 2. Механизмы взаимодействия реактивного газа с поверхностью мишени +

Глава 3. Стабилизация и управление реактивным разрядом с помощью внешних по отношению к разряду устройств контроля +

Глава 4. Изменение электрических параметров реактивного разряда при изменении состояния поверхности мишени +

Глава 5. Стабилизация процесса реактивного магнетронного распыления по электрическим параметрам разряда +

Глава 6. Достижение долговременной стабильности процесса реактивного магнетронного распыления +

Глава 7. Влияние температуры мишени на процесс реактивного распыления +

Глава 8. Влияние температуры подложки на скорость роста и состав пленки в реактивном процессе

Глава 9. Особенности проведения, контроля и стабилизации реактивного HiPIMS-процесса +

Глава 10. Альтернативные способы устранения гистерезиса из характеристик реактивного процесса +

Глава 11. Некоторые способы повышения эффективности процессов реактивного нанесения тонких пленок +

Глава 12. Заключительная +

Литература