Справка
STUDENT'S CONSULTANT
Электронная библиотека технического вуза
Все издания
Login/Registration
Во весь экран / Свернуть
ru
Accessibility
General Catalogue
Все издания
Menu
Искать в книге
К результату поиска
Advanced search
Bookmarks
Homepage
Login/Registration
Во весь экран / Свернуть
ru
Управление
My reports
General Catalogue
Издательства
УГС
Мои списки
Download app
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Оборот титула
Table of contents
Введение
Глава 1. Общая характеристика метода
Глава 2. Термодинамические и кинетические аспекты МОСГЭ
Глава 3. Массоперенос
Глава 4. Источники, используемые для получения ЭС AIIIBV и AIIBVI
Глава 5. Механизмы и кинетика химических реакций
Глава 6. Процессы на поверхности роста
Глава 7. Оборудование МОСГЭ
Глава 8. Моделирование МОСГЭ
Глава 9. МОСГЭ полупроводников AIIIBV
Глава 10. МОСГЭ полупроводников AIIBVI
Глава 11. Другие классы материалов
Close Menu
Раздел
9
/
12
Страница
1
/
24
Глава 8. Моделирование МОСГЭ
/
/
Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Для продолжения работы требуется
Registration
General Catalogue
Издательства
УГС
Мои списки
Скачать приложение
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Table of contents
Введение
Глава 1. Общая характеристика метода
Глава 2. Термодинамические и кинетические аспекты МОСГЭ
Глава 3. Массоперенос
Глава 4. Источники, используемые для получения ЭС AIIIBV и AIIBVI
Глава 5. Механизмы и кинетика химических реакций
Глава 6. Процессы на поверхности роста
Глава 7. Оборудование МОСГЭ
Глава 8. Моделирование МОСГЭ
Глава 9. МОСГЭ полупроводников AIIIBV
Глава 10. МОСГЭ полупроводников AIIBVI
Глава 11. Другие классы материалов
