Раздел 12 / 23

Страница 1 / 68

Глава 9. Проектирование микросхем космического применения на основе КНС и КНИ-структур

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Космическая электроника. Книга 1.

Table of contents

Предисловие

Введение

Перечень условных обозначений

Глава 1. Современные космические аппараты +

Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов +

Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники +

Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов +

Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств +

Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки +

Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы +

Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем +

Глава 9. Проектирование микросхем космического применения на основе КНС и КНИ-структур -

9.1. Радиационно-стойкие КМОП БИС на основе КНИ структур

9.2. Воздействие ионизирующего облучения на кремний и двуокись кремния

9.3. Физические явления в МОП/КНИ транзисторах в условиях воздействия ИИ

9.4. Результаты экспериментальных исследований образцов элементной базы КМОП БИС на КНИ-структурах

Литература к главе 9

Глава 10. Анализ общих проблем проектирования сверхбыстродействующих микроэлектронных изделий и систем на их основе +

Глава 11. Микросистемы в корпусе и на пластине +

Глава 12. Проблемы получения материалов для защиты интегральных микросхем от высокоскоростных потоков микрочастиц и пути их решения +

Глава 13. Методики и оборудование для исследования процессов взаимодействия высокоскоростных потоков микрочастиц с материалами +

Глава 14. Влияние воздействия высокоскоростных потоков микрочастиц +

Глава 15. Изменение структуры и свойств одно- и многослойных материалов при воздействии высокоскоростным потоком микрочастиц +

Глава 16. Особенности технологии изготовления многослойных защитных материалов для корпусов интегральных микросхем +

Глава 17. Методы отбраковки кремниевых микросхем со скрытыми дефектами в процессе серийного производства +

Глава 18. Дизайн-киты (PDK) - структура и особенности их применения при проектировании изделий с субмикронными проектными нормами +

Глава 19. СВЧ-электроника для космических и военных приложений +

Глава 20. Вместо заключения +