Раздел 2 / 4

Страница 8 / 122

Раздел 1.Физические и технологические основы наноэлектроники

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Наноэлектроника. Элементы, приборы, устройства: учебное пособие

Table of contents

Введение

Раздел 1.Физические и технологические основы наноэлектроники -

Глава 1. Теоретические основы наноэлектроники

1.1. Основные положения квантовой механики, используемые в наноэлектронике

1.2. Момент импульса и спин

1.3. Магнитный резонанс

1.4. Туннельный переход через потенциальный барьер

1.5. Квантовые потенциальные ямы

1.6. Интерференционные эффекты в наноструктурах

1.7. Элементы зонной теории и транспортные явления в наноразмерных структурах

1.8. Сверхрешетки

1.9. Плотность энергетических состояний в низкоразмерных структурах

1.10. Одноэлектроника

1.11. Физические основы спинтроники

Контрольные вопросы и задания

Глава 2. Физические свойства наноструктур и наноструктурированных материалов

2.1. Классификация низкоразмерных структур и наноматериалов

2.2. Свойства двумерных структур

2.3. Свойства одномерных структур и материалов

2.4. Свойства углеродных наноструктур

2.5. Свойства наночастиц и материалов с наночастицами

Контрольные вопросы и задания

Глава 3. Технология создания наноматериалов и наноструктур и методы их диагностики

3.1. Методы диагностики нанообъектов

3.2. Эпитаксиальные методы создания тонких пленок и гетероструктур

3.3. Технология создания квантовых точек и нитей

3.4. Основные технологические методы создании углеродных наноматериалов

3.5. Методы зондового сканирования

3.6. Нанолитография

Контрольные вопросы и задания

Раздел 2.Наноэлектронные приборы +

Литература