Раздел 5 / 10

Страница 1 / 5

Задача 5. Электронная модель F-центра в кристаллах галогенидов щелочных металлов и ее экспериментальная проверка

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Физика и химия твердого тела. Точечные дефекты в ионных кристаллах

Table of contents

Задача 1. Квазихимические процессы при возникновении нестехиометричности в кристаллах галогенидов одновалентных металлов +

Задача 2. Квазихимические реакции образования растворов замещения в кристаллических галогенидах щелочных металлов +

Задача 3. Квазихимическое равновесие в нестехиометрических оксидах (сульфидах) n-типа +

Задача 4. Квазихимическое равновесие в нестехиометрических оксидах (сульфидах) p-типа +

Задача 5. Электронная модель F-центра в кристаллах галогенидов щелочных металлов и ее экспериментальная проверка -

Указания к выполнению задачи 5

Задача 6. Определение энергии активации самодиффузии катионов и энергии образования дефектов Шоттки в галогенидах щелочных металлов по данным о температурной зависимости их ионной электропроводимости +

Задача 7. Влияние легирующих добавок на константу параболического окисления металлов +

Приложение А. Система символических обозначений дефектов Шоттки - Хауффе

Приложение Б. Система символических обозначений дефектов по Крёгеру и Винку

Библиографический список