Раздел 3 / 6

Страница 1 / 14

3. Основные электрофизические параметры МОП-приборов

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов, ИС и БИС. Раздел: Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом

Table of contents

1. Выбор базового структурно-топологического варианта МОП-транзистора

2. Выбор степени легирования подложки

3. Основные электрофизические параметры МОП-приборов -

3.1. Основные расчетные формулы

3.2. Технологические режимы для задания порогового напряжения и напряжений инверсии

4. Динамические параметры КМОП-приборов +

Заключение

Список условных обозначений