Раздел 11 / 13

Страница 1 / 4

Приложение IVn (файл tn.mcd). Расчет времени жизни носителей заряда в донорном полупроводнике

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Определение параметров полупроводника по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности

Table of contents

1. Теоретическое введение

2. Задание к курсовой работе

3. Краткое руководство для пользователей программы MATHCAD PROFESSIONAL +

4. Требования по оформлению пояснительной записки к курсовой работе и порядок ее защиты

5. Контрольные вопросы

6. Библиографический список

Приложение I (файл Kurs_ftt.mcd). Определение параметров полупроводника по температурным зависимостям электропроводности, ЭДС Холла и времени жизни носителей заряда

Приложение II (файл Myu.mcd). Расчет подвижности носителей заряда

Приложение IIIn (файл N_f.mcd). Расчет температурной зависимости концентрации основных носителей заряда и температурной зависимости энергии Ферми в донорном полупроводнике, базирующийся на решении уравнения электронейтральности

Приложение IIIp (файл P_f.mcd). Расчет температурной зависимости концентрации основных носителей заряда и температурной зависимости энергии Ферми в акцепторном полупроводнике, базирующийся на решении уравнения электронейтральности

Приложение IVn (файл tn.mcd). Расчет времени жизни носителей заряда в донорном полупроводнике

Приложение IVp (файл tp.mcd). Расчет времени жизни носителей заряда в акцепторном полупроводнике

Приложение V. Шаблон титульного листа пояснительной записки к курсовой работе