Раздел 3 / 7

Страница 1 / 10

2. Физико-топологическое моделирование работы диода

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Моделирование полупроводниковых приборов

Table of contents

Введение

1. Основные методы построения моделей полупроводниковых приборов и ИС +

2. Физико-топологическое моделирование работы диода -

2.1. Общие замечания

2.2. Моделирование статического режима работы диода

2.3. Расчеты работы диода на переменном сигнале

3. Моделирование работы биполярного транзистора +

4. Униполярные транзисторы (МДП-транзисторы)+

5. Дифференциально-разностные методы решения базовой системы уравнений +

Библиографический список