Раздел 6 / 12

Страница 4 / 4

5. Поведение частиц при росте слоев AlxGa1-xAs

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Формирование гетероструктур наноприборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Table of contents

Предисловие

1. Применение наноструктур в приборах

2. Сравнение молекулярно-лучевой эпитаксии с другими методами изготовления наноструктур

3. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии +

4. Измерение скорости роста +

5. Поведение частиц при росте слоев AlxGa1-xAs -

5.1. Избыточное давление паров As

5.2. Поверхностная подвижность Al и Ga

5.3. Опорная температура

6. Дельта-легирование +

7. МЛЭ-рост 2D-наноструктур (нанослоев)+

8. МЛЭ-рост 1D-наноструктур (нанонитей)+

9. МЛЭ-рост 0D-наноструктур (наночастиц)+

Заключение

Литература