Раздел 8 / 12

Страница 1 / 5

7. МЛЭ-рост 2D-наноструктур (нанослоев)

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Формирование гетероструктур наноприборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Table of contents

Предисловие

1. Применение наноструктур в приборах

2. Сравнение молекулярно-лучевой эпитаксии с другими методами изготовления наноструктур

3. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии +

4. Измерение скорости роста +

5. Поведение частиц при росте слоев AlxGa1-xAs +

6. Дельта-легирование +

7. МЛЭ-рост 2D-наноструктур (нанослоев)-

7.1. Плазменная активация

7.2. Нанослои GaN

7.3. Нанослои AlN

7.4. Нанослои InGaAsN

7.5. Нанослои HgCdTe

7.6. Нанослои ZnMgSe

8. МЛЭ-рост 1D-наноструктур (нанонитей)+

9. МЛЭ-рост 0D-наноструктур (наночастиц)+

Заключение

Литература