Справка
ЭБС "КОНСУЛЬТАНТ СТУДЕНТА"
Электронная библиотека технического вуза
Все издания
Вход / регистрация
Во весь экран / Свернуть
en
Версия для слабовидящих
Каталог
Все издания
Меню
Искать в книге
К результату поиска
Расширенный поиск
Закладки
На главную
Вход / регистрация
Во весь экран / Свернуть
en
Управление
Мои отчеты
Каталог
Издательства
УГС
Мои списки
Скачать приложение
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Оборот титула
Оглавление
Введение
Глава 1. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
Глава 2. Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате введения структурных дефектов при радиационном облучении
Глава 3. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2
Глава 4. Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур
Глава 5. Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП-и КМОП-структур
Глава 6. Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект ELDRS)
Глава 7. Одиночные события в БИС при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
Список литературы
Список сокращений
Close Menu
Раздел
8
/
10
Страница
1
/
56
Глава 7. Одиночные события в БИС при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
/
/
Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Каталог
Издательства
УГС
Мои списки
Скачать приложение
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Оглавление
Введение
Глава 1. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
Глава 2. Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате введения структурных дефектов при радиационном облучении
Глава 3. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2
Глава 4. Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур
Глава 5. Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП-и КМОП-структур
Глава 6. Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект ELDRS)
Глава 7. Одиночные события в БИС при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
Список литературы
Список сокращений
