Раздел 7 / 13

Страница 23 / 27

Глава 5. Перенос спин-поляризованных носителей заряда в полупроводниках

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Спинтроника

Оглавление

Об авторах

Введение

Глава 1. Спин электронов, ядер и атомов +

Глава 2. Магнитные и спиновые свойства объемных материалов, тонких пленок и наноразмерных частиц +

Глава 3. Спиновые эффекты в твердотельных структурах +

Глава 4. Инжекция спин-поляризованных носителей заряда в твердотельные структуры +

Глава 5. Перенос спин-поляризованных носителей заряда в полупроводниках -

5.1. Изменение ориентации спина электронов по механизму Эллиотта-Яфета

5.2. Изменение ориентации спина электронов по механизму Дьяконова-Переля

5.3. Изменение ориентации спина электронов по механизму Бира-Аронова-Пикуса

5.4. Изменение ориентации спина электронов в результате их сверхтонкого взаимодействия с ядрами атомов

5.5. Эффективность проявления механизмов релаксации спина электронов в полупроводниках

5.6. Особенности релаксации спина электронов в низкоразмерных структурах

Глава 6. Определение спиновых характеристик свободных носителей заряда в твердотельных структурах +

Глава 7. Элементы обработки информации на спиновых эффектах +

Глава 8. Квантовая обработка информации с использованием спинов ядер атомов и электронов в твердотельных структурах +

Рекомендуемая литература

Обозначения и величины наиболее часто встречающихся фундаментальных констант

Предметный указатель