Раздел 3 / 7

Страница 11 / 23

Глава 2. Общая характеристика методов ХОГФ

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Технология тонких пленок для микро- и наноэлектроники

Оглавление

Введение

Глава 1. Основные тенденции развития методов ХОГФ тонких пленок из газовой фазы +

Глава 2. Общая характеристика методов ХОГФ -

2.1. Тонкослойные материалы в ИМС

2.2. Краткие физико-химические основы ХОГФ

2.3. Химические реакции

2.4. Основные функциональные зависимости ХОГФ

2.5. Проблематика ХОГФ для технологий ИМС

2.5.1. Исходные химические вещества

2.5.2. Конструкция реакционных камер для ХОГФ

2.5.3. Макродефектность тонких пленок

2.5.4. Покрытие ступенек и заполнение узких зазоров

2.5.5. Контроль качества и оптимизация процессов ХОГФ

Заключение по главе 2

Вопросы для самопроверки по главе 2

Дополнительная литература к главе 2

Глава 3. Параметры аппаратуры и процессов ХОГФ +

Глава 4. Методология и исследования кинетики роста тонких пленок при ХОГФ +

Глава 5. Обобщения и практические рекомендации для решения технологических задач +

Библиографический список