Раздел 4 / 7

Страница 6 / 16

Глава 3. Параметры аппаратуры и процессов ХОГФ

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Технология тонких пленок для микро- и наноэлектроники

Оглавление

Введение

Глава 1. Основные тенденции развития методов ХОГФ тонких пленок из газовой фазы +

Глава 2. Общая характеристика методов ХОГФ +

Глава 3. Параметры аппаратуры и процессов ХОГФ -

3.1. Аппаратура для ХОГФ

3.2. Основные параметры процессов ХОГФ в проточных реакторах

3.3. Характеристики вакуумных систем установок ХОГФ

3.3.1. Вакуумные насосы

3.3.2. Измерение давления

3.3.3. Регулировка давления

3.3.4. Проверка герметичности вакуумных установок

3.4. Температурные режимы оборудования ХОГФ

3.5. Плотность ВЧ-мощности при плазменном осаждении

3.6. Методика осаждения ТП в проточных реакторах

Вопросы для самопроверки по главе 3

Дополнительная литература к главе 3

Глава 4. Методология и исследования кинетики роста тонких пленок при ХОГФ +

Глава 5. Обобщения и практические рекомендации для решения технологических задач +

Библиографический список