Раздел 5 / 7

Страница 14 / 19

Глава 4. Методология и исследования кинетики роста тонких пленок при ХОГФ

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Технология тонких пленок для микро- и наноэлектроники

Оглавление

Введение

Глава 1. Основные тенденции развития методов ХОГФ тонких пленок из газовой фазы +

Глава 2. Общая характеристика методов ХОГФ +

Глава 3. Параметры аппаратуры и процессов ХОГФ +

Глава 4. Методология и исследования кинетики роста тонких пленок при ХОГФ -

4.1. Упрощенный подход к исследованиям кинетики осаждения ТП

4.2. Исследования кинетики ХОГФ в реакторах идеального вытеснения

4.2.1. Трубчатые изотермические реакторы

4.2.2. Исследование кинетики ХОГФ в индивидуальных реакторах

4.3. Оценки кинетических характеристик процессов ХОГФ

4.4. Исследования кинетики ХОГФ в промышленных реакторах

4.4.1. Трубчатые изотермические реакторы

Заключение по главе 4

Вопросы для самопроверки по главе 4

Дополнительная литература к главе 4

Глава 5. Обобщения и практические рекомендации для решения технологических задач +

Библиографический список