Раздел 5 / 6

Страница 1 / 28

4. Моделирование полупроводниковых наноструктур

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Методы математического модел

Оглавление

Введение

1. Физико-топологическое моделирование полупроводниковых структур +

2. Методы дискретизации дифференциальных уравнений +

3. Методики решения фундаментальной системы уравнений +

4. Моделирование полупроводниковых наноструктур -

4.1. Уравнение Шредингера

4.2. Основные характеристики двухмерных полупроводниковых структур

4.3. Прямоугольная потенциальная яма конечной глубины

4.4. Параболическая и треугольная квантовые ямы

4.5. Квантовые проволоки

4.6. Квантовые точки

4.7. Численное решение уравнения Шредингера

4.8. Методы численного решения нестационарного уравнения Шредингера

4.9. Совместное решение уравнения Пуассона и уравнения Шредингера

Библиографический список