Раздел 4 / 12

Страница 1 / 24

Глава 1. Физические основы работы полевых транзисторов

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Основы схемотехники микроэлектронных устройств

Оглавление

Предисловие Ж.И. Алфёрова

Предисловие

Введение

Глава 1. Физические основы работы полевых транзисторов -

1.1. Физические основы работы субмикронных МОП-транзисторов

1.2. Анализ работы МОП-транзистора с длинным каналом

1.3. Анализ физических процессов, происходящих в субмикронном МОП-транзисторе

Литература к главе 1

Глава 2. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств +

Глава 3. Общая характеристика цифровых БИС +

Глава 4. Схемотехника цифровых БИС на комплементарных МОП-транзисторах +

Глава 5. Схемотехника цифровых БИС на биполярных транзисторах +

Глава 6. Схемотехника цифровых БИС на комплементарных МОП и биполярных транзисторах +

Глава 7. Принципы организации интерфейса в системах обработки информации +

Глава 8. Интерфейсные БИС +

Заключение