Раздел 4 / 15

Страница 1 / 13

Глава 2. Механизмы взаимодействия реактивного газа с поверхностью мишени

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Получение тонких пленок реактивным магнетронным распылением

Оглавление

Сведения об авторах

Введение. Особенности реактивного магнетронного распыления

Глава 1. Причины нестабильности реактивного распыления +

Глава 2. Механизмы взаимодействия реактивного газа с поверхностью мишени -

2.1. Хемосорбция во время реактивного магнетронного распыления

2.2. Ионная имплантация атомов реактивного газа в мишень

2.3. Соотношение влияния двух механизмов окисления

Глава 3. Стабилизация и управление реактивным разрядом с помощью внешних по отношению к разряду устройств контроля +

Глава 4. Изменение электрических параметров реактивного разряда при изменении состояния поверхности мишени +

Глава 5. Стабилизация процесса реактивного магнетронного распыления по электрическим параметрам разряда +

Глава 6. Достижение долговременной стабильности процесса реактивного магнетронного распыления +

Глава 7. Влияние температуры мишени на процесс реактивного распыления +

Глава 8. Влияние температуры подложки на скорость роста и состав пленки в реактивном процессе

Глава 9. Особенности проведения, контроля и стабилизации реактивного HiPIMS-процесса +

Глава 10. Альтернативные способы устранения гистерезиса из характеристик реактивного процесса +

Глава 11. Некоторые способы повышения эффективности процессов реактивного нанесения тонких пленок +

Глава 12. Заключительная +

Литература