Раздел 6 / 11

Страница 1 / 20

Глава 4. Исследования по созданию технологии производства структур с ультратонкими слоями кремния на сапфире

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Управление техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем (научно-технологические проблемы и аспекты развития)

Оглавление

Список условных сокращений

Введение

Глава 1. Исследование направлений и путей развития сложнофункциональных изделий микроэлектроники, проектирование РЭА на основе СБИС типа "система на кристалле"+

Глава 2. Разработка и обеспечение реализации научно-методических принципов управления научно-техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем +

Глава 3. Формирование унифицированной номенклатуры СФ-блоков по технологии КМОП/КНС для создания радиационно-стойких СБИС типа "система на кристалле"+

Глава 4. Исследования по созданию технологии производства структур с ультратонкими слоями кремния на сапфире -

4.1. Анализ современного состояния технологий производства КНС структур с ультратонким эпитаксиальным слоем кремния и КМОП-микросхем на основе КНС структур с ультратонким слоем кремния

4.2. Создание СБИС, в том числе типа "система на кристалле", и СФ-блоков для них по технологии КМОП/КНС аппаратуры управления ракетно-космической техники и автоматики специального назначения

4.3. Разработка и создание технологии КНС структур с ультратонкими слоями кремния и проектных решений для реализации КМОП/КНС СБИС на их основе

Выводы к главе 4

Заключение

Литература

Приложение А (Справочно-аналитическое). Научно-методические рекомендации (аннотировано). Исследование и разработка методов физико-технического и нормативно-методического контроля технического уровня СБИС с предельными топологическими нормами

Приложение Б. Информационная среда проектирования. Методические рекомендации. Состав и основное содержание разделов справочно-информационного листа для описания СФ-блоков на различных этапах интеграции в СБИС и требования к содержанию заявки на разработку СБИС типа "система на кристалле"

Приложение В (аннотировано). Информационная среда проектирования. Методические рекомендации по правилам заказа на изготовление СБИС в режиме Foundry