Раздел 9 / 11

Страница 1 / 64

Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки

/

Режим прокрутки

На первую страницу

На предыдущую главу

На предыдущую страницу

На следующую страницу

На следующую главу

На последнюю страницу

/

6.1. О терминологии субмикронной микроэлектроники

Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте просмотр в виде pdf. Вам доступно 12 стр. из этой главы.

На первую страницу

На предыдущую главу

На предыдущую страницу

На следующую страницу

На следующую главу

На последнюю страницу

Скачать приложение

Космическая электроника. Книга 1

Оглавление

Предисловие

Введение

Перечень условных обозначений

Глава 1. Современные космические аппараты +

Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов +

Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники +

Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов +

Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств +

Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки -

6.1. О терминологии субмикронной микроэлектроники

6.2. Тенденции и перспективы развития современной технологии в микроэлектронике

6.3. Особенности субмикронных МОП-транзисторов

6.4. Конструктивно-технологические особенности высокотемпературных диодов Шоттки

6.5. Конструктивно-технологические особенности формирования структур диодов Шоттки с повышенной устойчивостью к разрядам статического электричества

Литература к главе 6

Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы +

Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем +