Раздел 10 / 11

Страница 1 / 116

Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Космическая электроника. Книга 1

Оглавление

Предисловие

Введение

Перечень условных обозначений

Глава 1. Современные космические аппараты +

Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов +

Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники +

Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов +

Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств +

Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки +

Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы -

7.1. Физические механизмы воздействия радиации на субмикронные КМОП интегральные микросхемы

7.2. Воздействие радиации на аналоговые биполярные интегральные микросхемы

7.3. Основные методы обеспечения радиационной стойкости интегральных микросхем

7.4. Радиационная стойкость современных и перспективных ИМС

7.5. Рекомендуемый набор тестовых элементов для экспериментальных исследований влияния радиационных воздействий на характеристики кремниевых микросхем

7.6. Оборудование и методики облучения тестовых структур и исследуемых образцов микросхем

7.7. Методика измерения электрических параметров тестовых структур после радиационной обработки

7.8. Экспериментальные результаты воздействия электронного облучения на параметры эпитаксиальных кремниевых p-n-структур

7.9. Экспериментальные результаты исследования воздействия проникающей радиации на параметры биполярных транзисторных структур

7.10. Экспериментальные исследования влияния ионизирующих излучений на параметры биполярных аналоговых интегральных микросхем

7.11. Экспериментальные результаты исследований воздействия ионизирующих излучений на параметры транзисторных МОП-структур и интегральных микросхем на их основе

7.12. Особенности применения имитационных методов исследования радиационных эффектов в БиКМОП микросхемах

Литература к главе 7

Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем +