Справка
ЭБС "КОНСУЛЬТАНТ СТУДЕНТА"
Электронная библиотека технического вуза
Все издания
Вход / регистрация
Во весь экран / Свернуть
en
Версия для слабовидящих
Каталог
Все издания
Меню
Искать в книге
К результату поиска
Расширенный поиск
Закладки
На главную
Вход / регистрация
Во весь экран / Свернуть
en
Управление
Мои отчеты
Каталог
Издательства
УГС
Мои списки
Скачать приложение
Космическая электроника. Книга 1
Оглавление
Предисловие
Введение
Перечень условных обозначений
Глава 1. Современные космические аппараты
+
Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов
+
Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники
+
Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов
+
Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств
+
Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки
+
Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы
-
7.1. Физические механизмы воздействия радиации на субмикронные КМОП интегральные микросхемы
7.2. Воздействие радиации на аналоговые биполярные интегральные микросхемы
7.3. Основные методы обеспечения радиационной стойкости интегральных микросхем
7.4. Радиационная стойкость современных и перспективных ИМС
7.5. Рекомендуемый набор тестовых элементов для экспериментальных исследований влияния радиационных воздействий на характеристики кремниевых микросхем
7.6. Оборудование и методики облучения тестовых структур и исследуемых образцов микросхем
7.7. Методика измерения электрических параметров тестовых структур после радиационной обработки
7.8. Экспериментальные результаты воздействия электронного облучения на параметры эпитаксиальных кремниевых p-n-структур
7.9. Экспериментальные результаты исследования воздействия проникающей радиации на параметры биполярных транзисторных структур
7.10. Экспериментальные исследования влияния ионизирующих излучений на параметры биполярных аналоговых интегральных микросхем
7.11. Экспериментальные результаты исследований воздействия ионизирующих излучений на параметры транзисторных МОП-структур и интегральных микросхем на их основе
7.12. Особенности применения имитационных методов исследования радиационных эффектов в БиКМОП микросхемах
Литература к главе 7
Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем
+
Close Menu
Раздел
10
/
11
Страница
1
/
116
Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы
/
/
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 23 стр. из этой главы.
Каталог
Издательства
УГС
Мои списки
Скачать приложение
Космическая электроника. Книга 1
Оглавление
Предисловие
Введение
Перечень условных обозначений
Глава 1. Современные космические аппараты
+
Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов
+
Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники
+
Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов
+
Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств
+
Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки
+
Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы
-
7.1. Физические механизмы воздействия радиации на субмикронные КМОП интегральные микросхемы
7.2. Воздействие радиации на аналоговые биполярные интегральные микросхемы
7.3. Основные методы обеспечения радиационной стойкости интегральных микросхем
7.4. Радиационная стойкость современных и перспективных ИМС
7.5. Рекомендуемый набор тестовых элементов для экспериментальных исследований влияния радиационных воздействий на характеристики кремниевых микросхем
7.6. Оборудование и методики облучения тестовых структур и исследуемых образцов микросхем
7.7. Методика измерения электрических параметров тестовых структур после радиационной обработки
7.8. Экспериментальные результаты воздействия электронного облучения на параметры эпитаксиальных кремниевых p-n-структур
7.9. Экспериментальные результаты исследования воздействия проникающей радиации на параметры биполярных транзисторных структур
7.10. Экспериментальные исследования влияния ионизирующих излучений на параметры биполярных аналоговых интегральных микросхем
7.11. Экспериментальные результаты исследований воздействия ионизирующих излучений на параметры транзисторных МОП-структур и интегральных микросхем на их основе
7.12. Особенности применения имитационных методов исследования радиационных эффектов в БиКМОП микросхемах
Литература к главе 7
Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем
+