Справка
ЭБС "КОНСУЛЬТАНТ СТУДЕНТА"
Электронная библиотека технического вуза
Все издания
Вход / регистрация
Во весь экран / Свернуть
en
Версия для слабовидящих
Каталог
Все издания
Меню
Искать в книге
К результату поиска
Расширенный поиск
Закладки
На главную
Вход / регистрация
Во весь экран / Свернуть
en
Управление
Мои отчеты
Каталог
Издательства
УГС
Мои списки
Скачать приложение
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Оборот титула
Оглавление
Введение
Глава 1. Общая характеристика метода
Глава 2. Термодинамические и кинетические аспекты МОСГЭ
Глава 3. Массоперенос
Глава 4. Источники, используемые для получения ЭС AIIIBV и AIIBVI
Глава 5. Механизмы и кинетика химических реакций
Глава 6. Процессы на поверхности роста
Глава 7. Оборудование МОСГЭ
Глава 8. Моделирование МОСГЭ
Глава 9. МОСГЭ полупроводников AIIIBV
Глава 10. МОСГЭ полупроводников AIIBVI
Глава 11. Другие классы материалов
Close Menu
Раздел
5
/
12
Страница
1
/
25
Глава 4. Источники, используемые для получения ЭС AIIIBV и AIIBVI
/
/
Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Каталог
Издательства
УГС
Мои списки
Скачать приложение
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Оглавление
Введение
Глава 1. Общая характеристика метода
Глава 2. Термодинамические и кинетические аспекты МОСГЭ
Глава 3. Массоперенос
Глава 4. Источники, используемые для получения ЭС AIIIBV и AIIBVI
Глава 5. Механизмы и кинетика химических реакций
Глава 6. Процессы на поверхности роста
Глава 7. Оборудование МОСГЭ
Глава 8. Моделирование МОСГЭ
Глава 9. МОСГЭ полупроводников AIIIBV
Глава 10. МОСГЭ полупроводников AIIBVI
Глава 11. Другие классы материалов
