Справка
x
ЭБС "КОНСУЛЬТАНТ СТУДЕНТА"
Электронная библиотека технического вуза
Все издания
Вход / регистрация
Во весь экран / Свернуть
en
Версия для слабовидящих
Каталог
Все издания
Меню
Искать в книге
К результату поиска
Расширенный поиск
Закладки
На главную
Вход / регистрация
Во весь экран / Свернуть
en
Управление
Мои отчеты
Каталог
Издательства
УГС
Мои списки
Скачать приложение
Космическая электроника. Книга 1.
Оборот титула
Оглавление
Предисловие
Введение
Перечень условных обозначений
Глава 1. Современные космические аппараты
+
Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов
+
Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники
+
Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов
+
Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств
+
Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки
+
Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы
+
Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем
+
Глава 9. Проектирование микросхем космического применения на основе КНС и КНИ-структур
+
Глава 10. Анализ общих проблем проектирования сверхбыстродействующих микроэлектронных изделий и систем на их основе
+
Глава 11. Микросистемы в корпусе и на пластине
+
Глава 12. Проблемы получения материалов для защиты интегральных микросхем от высокоскоростных потоков микрочастиц и пути их решения
+
Глава 13. Методики и оборудование для исследования процессов взаимодействия высокоскоростных потоков микрочастиц с материалами
+
Глава 14. Влияние воздействия высокоскоростных потоков микрочастиц
+
Глава 15. Изменение структуры и свойств одно- и многослойных материалов при воздействии высокоскоростным потоком микрочастиц
+
Глава 16. Особенности технологии изготовления многослойных защитных материалов для корпусов интегральных микросхем
+
Глава 17. Методы отбраковки кремниевых микросхем со скрытыми дефектами в процессе серийного производства
+
Глава 18. Дизайн-киты (PDK) - структура и особенности их применения при проектировании изделий с субмикронными проектными нормами
+
Глава 19. СВЧ-электроника для космических и военных приложений
-
19.1. Основы СВЧ-электроники
19.2. Строение и свойства арсенида галлия
19.3. Сравнительные характеристики свойств GaAs и Si
19.4. Микроэлектронные приборы на основе GaAs
19.5. Биполярные транзисторы с гетеропереходами
19.6. Оптоэлектронные приборы на GaAs
19.7. Новые приборы на GaAs
19.8. Состояние и перспективы развития монолитных интегральных схем СВЧ
19.9. Основные сферы и особенности применения GaAs СВЧ МИС
19.10. Основные технические параметры зарубежных GaN-микросхем приемо-передающих модулей АФАР
19.11. Краткий сравнительный обзор состояния мирового рынка СВЧ МИС на основе SiGe, GaN, AlGaN/GaN
19.12. Использование технологии CaAs-монолитных схем СВЧ в зарубежной космической и военной технике
Литература к главе 19
Глава 20. Вместо заключения
+
Close Menu
Раздел
22
/
23
Страница
18
/
65
Глава 19. СВЧ-электроника для космических и военных приложений
/
/
Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Каталог
Издательства
УГС
Мои списки
Скачать приложение
Космическая электроника. Книга 1.
Оглавление
Предисловие
Введение
Перечень условных обозначений
Глава 1. Современные космические аппараты
+
Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов
+
Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники
+
Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов
+
Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств
+
Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки
+
Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы
+
Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем
+
Глава 9. Проектирование микросхем космического применения на основе КНС и КНИ-структур
+
Глава 10. Анализ общих проблем проектирования сверхбыстродействующих микроэлектронных изделий и систем на их основе
+
Глава 11. Микросистемы в корпусе и на пластине
+
Глава 12. Проблемы получения материалов для защиты интегральных микросхем от высокоскоростных потоков микрочастиц и пути их решения
+
Глава 13. Методики и оборудование для исследования процессов взаимодействия высокоскоростных потоков микрочастиц с материалами
+
Глава 14. Влияние воздействия высокоскоростных потоков микрочастиц
+
Глава 15. Изменение структуры и свойств одно- и многослойных материалов при воздействии высокоскоростным потоком микрочастиц
+
Глава 16. Особенности технологии изготовления многослойных защитных материалов для корпусов интегральных микросхем
+
Глава 17. Методы отбраковки кремниевых микросхем со скрытыми дефектами в процессе серийного производства
+
Глава 18. Дизайн-киты (PDK) - структура и особенности их применения при проектировании изделий с субмикронными проектными нормами
+
Глава 19. СВЧ-электроника для космических и военных приложений
-
19.1. Основы СВЧ-электроники
19.2. Строение и свойства арсенида галлия
19.3. Сравнительные характеристики свойств GaAs и Si
19.4. Микроэлектронные приборы на основе GaAs
19.5. Биполярные транзисторы с гетеропереходами
19.6. Оптоэлектронные приборы на GaAs
19.7. Новые приборы на GaAs
19.8. Состояние и перспективы развития монолитных интегральных схем СВЧ
19.9. Основные сферы и особенности применения GaAs СВЧ МИС
19.10. Основные технические параметры зарубежных GaN-микросхем приемо-передающих модулей АФАР
19.11. Краткий сравнительный обзор состояния мирового рынка СВЧ МИС на основе SiGe, GaN, AlGaN/GaN
19.12. Использование технологии CaAs-монолитных схем СВЧ в зарубежной космической и военной технике
Литература к главе 19
Глава 20. Вместо заключения
+
