Раздел 3 / 16

Страница 23 / 25

Глава 1. Физические основы работы полевых транзисторов

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Основы проектирования субмикронных микросхем

Оглавление

Вместо предисловия - дайджест

Введение

Глава 1. Физические основы работы полевых транзисторов -

1.1. Физические основы работы субмикронных МОП-транзисторов

1.2. Анализ работы МОП-транзистора с длинным каналом

1.3. Анализ физических процессов, происходящих в субмикронном МОП-транзисторе

Литература к главе 1

Глава 2. Особенности конструктивно-схемотехнического проектирования субмикронных микросхем +

Глава 3. Основные характеристики цифровых микросхем +

Глава 4. Схемотехнические решения цифровых КМОП-микросхем +

Глава 5. Схемотехнические решения биполярных микросхем +

Глава 6. Схемотехнические решения БиКМОП-микросхем +

Глава 7. Особенности проектирования радиационностойких микросхем на основе КНС и КНИ-структур +

Глава 8. Библиотеки проектирования субмикронных микросхем - структура и особенности +

Глава 9. Маршруты проектирования цифровых микросхем и систем-на-кристалле +

Глава 10. Основы логического проектирования КМОП-микросхем с пониженным энергопотреблением +

Глава 11. Основы проектирования кибербезопасных микросхем и систем-на-кристалле +

Глава 12. Основы построения системы управления качеством изготовления субмикронных интегральных микросхем на базе тестовых структур +

Глава 13. Основные тенденции развития, проблемы и угрозы современной микроэлектроники +

Глава 14. Технологии корпусирования микросхем +