Раздел 4 / 6

Страница 15 / 22

4. Динамические параметры КМОП-приборов

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов, ИС и БИС. Раздел: Проектирование и расчет КМОП-схем с коротким каналом

Оглавление

1. Выбор базового структурно-топологического варианта МОП-транзистора

2. Выбор степени легирования подложки

3. Основные электрофизические параметры МОП-приборов +

4. Динамические параметры КМОП-приборов -

4.1. Обогащенный полевой транзистор с изолированным затвором и коротким каналом

4.2. Переключательные характеристики КМОП-вентиля

4.3. Примеры расчета динамических параметров инверторов

Заключение

Список условных обозначений