Раздел 2 / 6

Страница 7 / 15

1. Облучение быстрыми электронами

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет

Оглавление

Введение

1. Облучение быстрыми электронами -

1.1. Смещение атомов из узлов кристаллической решетки

1.2. Максимальная энергия, передаваемая атому облучаемого кристалла

1.3. Средняя энергия, передаваемая атому облучаемого кристалла

1.4. Поперечное сечение упругих столкновений и скорость электронов

1.5. Каскадный процесс смещений

1.6. Полное число смещений в единице объема кристалла

1.7. Энергетические потери и длина пробега

1.8. Представление исходных данных и результатов расчета

2. Облучение гамма-квантами +

3. Облучение нейтронами +

4. Облучение протонами +

Заключение