Раздел 4 / 7

Страница 17 / 20

3. Моделирование работы биполярного транзистора

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Моделирование полупроводниковых приборов

Оглавление

Введение

1. Основные методы построения моделей полупроводниковых приборов и ИС +

2. Физико-топологическое моделирование работы диода +

3. Моделирование работы биполярного транзистора -

3.1. Математическая модель одномерного транзистора

3.2. Расчет переходных процессов

3.3. Расчет частотных характеристик

3.4. Моделирование двухмерных эффектов

3.5. Моделирование трехмерной структуры

4. Униполярные транзисторы (МДП-транзисторы)+

5. Дифференциально-разностные методы решения базовой системы уравнений +

Библиографический список