Раздел 6 / 7

Страница 9 / 17

5. Дифференциально-разностные методы решения базовой системы уравнений

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Моделирование полупроводниковых приборов

Оглавление

Введение

1. Основные методы построения моделей полупроводниковых приборов и ИС +

2. Физико-топологическое моделирование работы диода +

3. Моделирование работы биполярного транзистора +

4. Униполярные транзисторы (МДП-транзисторы)+

5. Дифференциально-разностные методы решения базовой системы уравнений -

5.1. Достоинства дифференциально-разностных методов

5.2. Элементы с сосредоточенными параметрами

5.3. Модель Линвилла для участка кристалла

5.4. Пример построения одномерной распределённой модели транзистора

5.5. Модели диода с сосредоточенными параметрами

5.6. Модели транзистора с сосредоточенными параметрами

Библиографический список