Раздел 9 / 12

Страница 3 / 3

8. МЛЭ-рост 1D-наноструктур (нанонитей)

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Регистрация

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Формирование гетероструктур наноприборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Оглавление

Предисловие

1. Применение наноструктур в приборах

2. Сравнение молекулярно-лучевой эпитаксии с другими методами изготовления наноструктур

3. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии +

4. Измерение скорости роста +

5. Поведение частиц при росте слоев AlxGa1-xAs +

6. Дельта-легирование +

7. МЛЭ-рост 2D-наноструктур (нанослоев)+

8. МЛЭ-рост 1D-наноструктур (нанонитей)-

8.1. Нанонити GaAs с катализатором Au

8.2. Нанонити GaAs на подложке Si

8.3. Нанонити ZnTe на подложке GaAs

9. МЛЭ-рост 0D-наноструктур (наночастиц)+

Заключение

Литература