Раздел 4 / 7

Страница 1 / 121

1. КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Методы литографии в наноинженерии. Кн. 9

Table of contents

ПРЕДИСЛОВИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

1. КОНСПЕКТ ЛЕКЦИЙ -

1.1. Современное состояние и тенденции развития технологических операций проекционной литографии при производстве КМОП СБИС

1.2. Используемые материалы и применяемое литографическое оборудование при производстве КМОП СБИС с наноразмерными элементами

1.3. Нанесение резиста на поверхность кремниевой пластины

1.4. Формирование в пленке резиста скрытого изображения (экспонирование) посредством проекционной оптики и его ключевые физические ограничения в части разрешающей способности

1.5. Основные физико-химические характеристики ДХН-новолачных I-LINE-резистов

1.6. Способы повышения разрешающей способности процесса проекционной литографии

1.7. Критерии оценки качества процесса проекционной литографии

1.8. Современные системы компьютерного (TCAD) моделирования литографических процессов и тенденции их развития

2. МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ +

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА