Глава 10. ПЕРСПЕКТИВА ТЕНЕЙ ПРИ СОЛНЕЧНОМ ОСВЕЩЕНИИ

Скачать приложение

Входной и технологический контроль материалов и структур в твердотельной СВЧ электронике (лабораторные работы)

Table of contents

Лабораторная работа № 1. Измерение удельного сопротивления пластин, эпитаксиальных и металлизационных слоев четырехзондовым методом

Лабораторная работа № 2. Определение параметров структур "металл-диэлектрик-полупроводник" (МДП) по измерению высокочастотных вольт-фарадных характеристик

Лабораторная работа № 3. Определение параметров структур "металл-диэлектрик-полупроводник" (МДП) по измерению низкочастотных вольт-фарадных характеристик

Лабораторная работа № 4. Определение профиля распределения примесей по измерению вольт-фарадных характеристик диодов Шотки

Лабораторная работа № 5. Определение сопротивления, концентрации и подвижности двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах методом Ван-дер-Пау

Лабораторная работа № 6. Контроль толщины кремния в КНС- и КНИ-структурах

Лабораторная работа № 7 Определение структурных дефектов в полупроводниковых материалах

Лабораторная работа № 8. Метод рентгеновской дифрактометрии

Лабораторная работа № 9. Метод растровой электронной микроскопии

Лабораторная работа № 10. Построение карт "желтой" фотолюминесценции гетероструктур AlGaN/GaN

Лабораторная работа № 11. Контроль полупроводниковых структур при помощи микроинтерферометра МИИ-4

Лабораторная работа № 12. Определение параметров диэлектрических покрытий методом эллипсометрии

Лабораторная работа № 13. Определение оптических констант металлических пленок методом эллипсометрии

Лабораторная работа № 14. Определение толщины тонких металлических пленок методом эллипсометрии

Лабораторная работа № 15. Определение структурных дефектов в пластинах SiC поляризационным методом