Раздел 22 / 23

Страница 56 / 65

Глава 19. СВЧ-электроника для космических и военных приложений

Режим постраничного просмотра

/

На первую страницу

На предыдущую главу

На следующую главу

На последнюю страницу

Озвучивание недоступно

/

Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Режим постраничного просмотра

Для продолжения работы требуется Registration

На предыдущую главу

На следующую главу

Скачать приложение

Космическая электроника. Книга 1.

Table of contents

Предисловие

Введение

Перечень условных обозначений

Глава 1. Современные космические аппараты +

Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов +

Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники +

Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов +

Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств +

Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки +

Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы +

Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем +

Глава 9. Проектирование микросхем космического применения на основе КНС и КНИ-структур +

Глава 10. Анализ общих проблем проектирования сверхбыстродействующих микроэлектронных изделий и систем на их основе +

Глава 11. Микросистемы в корпусе и на пластине +

Глава 12. Проблемы получения материалов для защиты интегральных микросхем от высокоскоростных потоков микрочастиц и пути их решения +

Глава 13. Методики и оборудование для исследования процессов взаимодействия высокоскоростных потоков микрочастиц с материалами +

Глава 14. Влияние воздействия высокоскоростных потоков микрочастиц +

Глава 15. Изменение структуры и свойств одно- и многослойных материалов при воздействии высокоскоростным потоком микрочастиц +

Глава 16. Особенности технологии изготовления многослойных защитных материалов для корпусов интегральных микросхем +

Глава 17. Методы отбраковки кремниевых микросхем со скрытыми дефектами в процессе серийного производства +

Глава 18. Дизайн-киты (PDK) - структура и особенности их применения при проектировании изделий с субмикронными проектными нормами +

Глава 19. СВЧ-электроника для космических и военных приложений -

19.1. Основы СВЧ-электроники

19.2. Строение и свойства арсенида галлия

19.3. Сравнительные характеристики свойств GaAs и Si

19.4. Микроэлектронные приборы на основе GaAs

19.5. Биполярные транзисторы с гетеропереходами

19.6. Оптоэлектронные приборы на GaAs

19.7. Новые приборы на GaAs

19.8. Состояние и перспективы развития монолитных интегральных схем СВЧ

19.9. Основные сферы и особенности применения GaAs СВЧ МИС

19.10. Основные технические параметры зарубежных GaN-микросхем приемо-передающих модулей АФАР

19.11. Краткий сравнительный обзор состояния мирового рынка СВЧ МИС на основе SiGe, GaN, AlGaN/GaN

19.12. Использование технологии CaAs-монолитных схем СВЧ в зарубежной космической и военной технике

Литература к главе 19

Глава 20. Вместо заключения +