Справка
ЭБС "КОНСУЛЬТАНТ СТУДЕНТА"
Электронная библиотека технического вуза
Все издания
Вход / регистрация
Во весь экран / Свернуть
en
Версия для слабовидящих
Каталог
Все издания
Меню
Искать в книге
К результату поиска
Расширенный поиск
Закладки
На главную
Вход / регистрация
Во весь экран / Свернуть
en
Управление
Мои отчеты
Каталог
Издательства
УГС
Мои списки
Скачать приложение
Входной и технологический контроль материалов и структур в твердотельной СВЧ электронике (лабораторные работы)
Оборот титула
Оглавление
Лабораторная работа № 1. Измерение удельного сопротивления пластин, эпитаксиальных и металлизационных слоев четырехзондовым методом
Лабораторная работа № 2. Определение параметров структур "металл-диэлектрик-полупроводник" (МДП) по измерению высокочастотных вольт-фарадных характеристик
Лабораторная работа № 3. Определение параметров структур "металл-диэлектрик-полупроводник" (МДП) по измерению низкочастотных вольт-фарадных характеристик
Лабораторная работа № 4. Определение профиля распределения примесей по измерению вольт-фарадных характеристик диодов Шотки
Лабораторная работа № 5. Определение сопротивления, концентрации и подвижности двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах методом Ван-дер-Пау
Лабораторная работа № 6. Контроль толщины кремния в КНС- и КНИ-структурах
Лабораторная работа № 7 Определение структурных дефектов в полупроводниковых материалах
Лабораторная работа № 8. Метод рентгеновской дифрактометрии
Лабораторная работа № 9. Метод растровой электронной микроскопии
Лабораторная работа № 10. Построение карт "желтой" фотолюминесценции гетероструктур AlGaN/GaN
Лабораторная работа № 11. Контроль полупроводниковых структур при помощи микроинтерферометра МИИ-4
Лабораторная работа № 12. Определение параметров диэлектрических покрытий методом эллипсометрии
Лабораторная работа № 13. Определение оптических констант металлических пленок методом эллипсометрии
Лабораторная работа № 14. Определение толщины тонких металлических пленок методом эллипсометрии
Лабораторная работа № 15. Определение структурных дефектов в пластинах SiC поляризационным методом
Close Menu
Раздел
6
/
15
Страница
1
/
6
Лабораторная работа № 6. Контроль толщины кремния в КНС- и КНИ-структурах
/
/
Внимание! Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Каталог
Издательства
УГС
Мои списки
Скачать приложение
Входной и технологический контроль материалов и структур в твердотельной СВЧ электронике (лабораторные работы)
Оглавление
Лабораторная работа № 1. Измерение удельного сопротивления пластин, эпитаксиальных и металлизационных слоев четырехзондовым методом
Лабораторная работа № 2. Определение параметров структур "металл-диэлектрик-полупроводник" (МДП) по измерению высокочастотных вольт-фарадных характеристик
Лабораторная работа № 3. Определение параметров структур "металл-диэлектрик-полупроводник" (МДП) по измерению низкочастотных вольт-фарадных характеристик
Лабораторная работа № 4. Определение профиля распределения примесей по измерению вольт-фарадных характеристик диодов Шотки
Лабораторная работа № 5. Определение сопротивления, концентрации и подвижности двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах методом Ван-дер-Пау
Лабораторная работа № 6. Контроль толщины кремния в КНС- и КНИ-структурах
Лабораторная работа № 7 Определение структурных дефектов в полупроводниковых материалах
Лабораторная работа № 8. Метод рентгеновской дифрактометрии
Лабораторная работа № 9. Метод растровой электронной микроскопии
Лабораторная работа № 10. Построение карт "желтой" фотолюминесценции гетероструктур AlGaN/GaN
Лабораторная работа № 11. Контроль полупроводниковых структур при помощи микроинтерферометра МИИ-4
Лабораторная работа № 12. Определение параметров диэлектрических покрытий методом эллипсометрии
Лабораторная работа № 13. Определение оптических констант металлических пленок методом эллипсометрии
Лабораторная работа № 14. Определение толщины тонких металлических пленок методом эллипсометрии
Лабораторная работа № 15. Определение структурных дефектов в пластинах SiC поляризационным методом
